2025
02-11
SiC外延片的化学机械清洗方法
引言碳化硅（SiC）作为一种高性能的半导体材料，因其卓越的物理和化学性质，在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。然而，在SiC外延片的制造过程中，表面污染物的存在会严重影响外延片的质量和性能。因此，采用高效的化学机械清...
2025
02-11
继经典迈克尔逊干涉后的零差式激光干涉技术...
零差式激光干涉技术是在经典迈克尔逊干涉原理的基础上发展起来的一种高精度测量技术。以下是对这一技术的详细介绍：一、经典迈克尔逊干涉原理迈克尔逊干涉仪是一种利用分振幅法产生双光束以实现干涉的光学仪器，它是最著名的干涉仪之一，为光学干涉测量中各类...
2025
02-10
外差式激光干涉和零差式激光干涉的区别
外差式激光干涉和零差式激光干涉是两种不同的激光干涉测量技术，它们在工作原理、特点和应用方面存在显著的差异。以下是对这两种技术的详细比较：一、工作原理外差式激光干涉外差式激光干涉仪又称双频干涉仪或交流干涉仪，其工作原理是利用两种不同频率的单色...
2025
02-10
有效抑制SiC外延片掉落物缺陷生成的方法
引言碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，因其出色的物理和化学特性，在功率电子、高频通信及高温环境等领域展现出巨大的应用潜力。然而，在SiC外延生长过程中，掉落物缺陷（如颗粒脱落、乳凸等）一直是影响外延片质量和器件性能的关键因素。这些缺陷不...
2025
02-08
白光干涉仪的膜厚测量模式原理
白光干涉仪的膜厚测量模式原理主要基于光的干涉原理，通过测量反射光波的相位差或干涉条纹的变化来精确计算薄膜的厚度。以下是该原理的详细解释：一、基本原理当光线照射到薄膜表面时，部分光线会在薄膜表面反射，形成表面反射光；另一部分光线会穿透薄膜，在...
2025
02-08
应力消除外延生长装置及外延生长方法
引言在半导体材料领域，碳化硅（SiC）因其出色的物理和化学特性，如高硬度、高热导率、高击穿电场强度等，成为制造高功率、高频电子器件的理想材料。然而，在大尺寸SiC外延生长过程中，衬底应力问题一直是影响外延片质量和性能的关键因素。为了克服这一...