2025
01-14
测量探头的 “温漂” 问题，对于碳化硅衬...
在半导体制造的微观世界里，碳化硅衬底作为新一代芯片的关键基石，其厚度测量的精准性如同精密建筑的根基，不容有丝毫偏差。然而，测量探头的 “温漂” 问题却如同一股暗流，悄然冲击着这一精准测量的防线，给碳化硅衬底厚度测量带来诸多实际且棘手的影响。...
2025
01-14
不同的碳化硅衬底的吸附方案，对测量碳化硅...
在当今蓬勃发展的半导体产业中，碳化硅（SiC）衬底作为关键基础材料，正引领着高性能芯片制造迈向新的台阶。对于碳化硅衬底而言，其 BOW（弯曲度）和 WARP（翘曲度）参数犹如精密天平上的砝码，细微的偏差都可能让后续芯片制造工艺失衡，而不同的...
2025
01-13
碳化硅衬底的环吸方案相比其他吸附方案，对...
在半导体领域，随着碳化硅（SiC）材料因其卓越的电学性能、高热导率等优势逐渐崭露头角，成为新一代功率器件、射频器件等制造的热门衬底选择，对碳化硅衬底质量的精准把控愈发关键。其中，碳化硅衬底的 BOW（弯曲度）和 WARP（翘曲度）测量精度直...
2025
01-13
测量探头的 “温漂” 问题，对于晶圆厚度...
在半导体制造这一高精度领域，晶圆厚度的精确测量是保障芯片性能与质量的关键环节。然而，常常被忽视却又影响深远的一个问题是测量探头的 “温漂” 现象，它犹如隐藏在精密测量体系中的一颗 “暗雷”，悄然给晶圆厚度测量带来诸多实际影响。一、“温漂” ...
2025
01-13
测量探头的 “温漂” 问题，都是怎么产生...
在半导体芯片制造的微观世界里，精度就是生命线，晶圆厚度测量的精准程度直接关联着最终产品的性能优劣。而测量探头的 “温漂” 问题，宛如精密时钟里的一粒微尘，虽小却能搅乱整个测量体系的精准节奏。深入探究其产生根源以及带来的连锁影响，对于半导体产...
2025
01-10
不同的真空吸附方式，对测量晶圆 BOW ...
在半导体产业蓬勃发展的当下，晶圆作为芯片制造的基础材料，其质量把控贯穿整个生产流程。其中，晶圆的 BOW（弯曲度）测量精度对于确保后续工艺的顺利进行以及芯片性能的稳定性起着举足轻重的作用。而不同的真空吸附方式，作为晶圆测量环节中的关键支撑技...