2025
02-11
继经典迈克尔逊干涉后的零差式激光干涉技术...
零差式激光干涉技术是在经典迈克尔逊干涉原理的基础上发展起来的一种高精度测量技术。以下是对这一技术的详细介绍：一、经典迈克尔逊干涉原理迈克尔逊干涉仪是一种利用分振幅法产生双光束以实现干涉的光学仪器，它是最著名的干涉仪之一，为光学干涉测量中各类...
2025
02-10
有效抑制SiC外延片掉落物缺陷生成的方法
引言碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，因其出色的物理和化学特性，在功率电子、高频通信及高温环境等领域展现出巨大的应用潜力。然而，在SiC外延生长过程中，掉落物缺陷（如颗粒脱落、乳凸等）一直是影响外延片质量和器件性能的关键因素。这些缺陷不...
2025
02-08
应力消除外延生长装置及外延生长方法
引言在半导体材料领域，碳化硅（SiC）因其出色的物理和化学特性，如高硬度、高热导率、高击穿电场强度等，成为制造高功率、高频电子器件的理想材料。然而，在大尺寸SiC外延生长过程中，衬底应力问题一直是影响外延片质量和性能的关键因素。为了克服这一...
2025
02-07
碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法
引言碳化硅（SiC）外延晶片因其卓越的物理和化学特性，在功率电子、高频通信、高温传感等领域具有广泛应用。在SiC外延晶片的制备过程中，硅面贴膜是一道关键步骤，用于保护外延层免受机械损伤和污染。然而，贴膜后的清洗过程同样至关重要，它直接影响到...
2025
02-06
碳化硅晶片表面金属残留的清洗方法
引言碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，因其出色的物理和化学性质，在电力电子、微波器件、高温传感器等领域具有广泛的应用前景。然而，在SiC晶片的制备和加工过程中，表面金属残留成为了一个亟待解决的问题。金属残留不仅会影响SiC晶片的电学...
2025
01-23
碳化硅衬底的特氟龙夹具相比其他吸附方案，...
一、引言随着碳化硅在半导体等领域的广泛应用，对其衬底质量的检测愈发关键。BOW（翘曲度）和 WARP（弯曲度）是衡量碳化硅衬底质量的重要参数，准确测量这些参数对于保证器件性能至关重要。而不同的吸附方案会对测量结果产生不同程度的影响。二、常见...