2025
01-09
晶圆的环吸方案相比其他吸附方案，对于测量...
在半导体制造领域，晶圆的加工精度和质量控制至关重要，其中对晶圆 BOW（弯曲度）和 WARP（翘曲度）的精确测量更是关键环节。不同的吸附方案被应用于晶圆测量过程中，而晶圆的环吸方案因其独特设计，与传统或其他吸附方案相比，对 BOW/WARP...
2025
01-09
反射镜的移动，实现白光干涉中的机械相移原...
在白光干涉测量中，通过反射镜的移动来实现机械相移原理是一种常见且有效的方法。以下是对这一原理的详细解释：一、基本原理白光干涉测量技术基于光的波动性和相干性原理。当两束相干光波在空间某点相遇时，它们会产生干涉现象，形成明暗相间的干涉条纹。这些...
2025
01-08
用于半导体外延片生长的CVD石墨托盘结构
一、引言在半导体制造业中，外延生长技术扮演着至关重要的角色。化学气相沉积（CVD）作为一种主流的外延生长方法，被广泛应用于制备高质量的外延片。而在CVD外延生长过程中，石墨托盘作为承载和支撑半导体衬底的关键组件，其结构和性能对外延片的质量具...
2025
01-08
通过样品台的移动，实现白光干涉中的机械相...
在白光干涉测量技术中，通过样品台的移动来实现机械相移原理是一种常用的且高精度的方法。这种方法基于光的波动性和相干性，通过改变样品台的位置，即改变待测光线与参考光线之间的光程差，来实现相位调制，从而获取待测物体的精确信息。一、基本原理在白光干...
2025
01-07
钟罩式热壁碳化硅高温外延片生长装置
一、引言随着半导体技术的飞速发展，碳化硅（SiC）作为一种具有优异物理和化学性质的材料，在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。高质量、大面积的SiC外延片是实现高性能SiC器件制造的关键。钟罩式热壁碳化硅高温外延片生长...
2025
01-07
光学元件的插入与移除，实现白光干涉中的机...
在白光干涉测量中，通过光学元件的插入与移除来实现机械相移原理是一种独特而有效的方法。这种方法的核心在于利用光学元件（如透镜、反射镜、棱镜等）对光路的改变，从而实现对相位差的调制。以下是对这一原理的详细解释：一、基本原理白光干涉测量基于光的干...