2024
12-31
8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构
随着碳化硅（SiC）材料在电力电子、航空航天、新能源汽车等领域的广泛应用，高质量、大面积的SiC外延生长技术变得尤为重要。8英寸SiC晶圆作为当前及未来一段时间内的主流尺寸，其外延生长室的结构设计直接关系到外延层的质量和生产效率。本文将详细...
2024
12-31
白光干涉中的光学相移原理
一、基本原理在白光干涉仪中，光源发出的光经过扩束准直后，通过分光棱镜被分成两束相干光：一束作为参考光，另一束作为待测光。这两束光在空间某点相遇时，会产生干涉现象，形成明暗相间的干涉条纹。干涉条纹的形态和位置取决于两束光的相位差，而相位差则与...
2024
12-30
沟槽结构碳化硅的外延填充方法
一、引言沟槽结构碳化硅的外延填充方法是指通过在碳化硅衬底上形成的沟槽内填充高质量的外延层，以实现器件的电学和热学性能要求。这一过程中，不仅要保证外延层的填充率，还要避免空洞和缺陷的产生，从而确保器件的稳定性和可靠性。二、外延填充方法实验准备...
2024
12-30
白光干涉仪中的相位产生机制
一、基于光程差的相位产生基本原理：当两束相干光波（如从同一光源发出的光波，经过不同路径后相遇）在空间某点相遇时，它们会产生干涉现象。干涉条纹的形成是由于两束光波的相位差引起的，而相位差则取决于两束光波经过的光程差。光程差的计算：光程是指光在...
2024
12-27
1um以下的光刻深度,凹槽深度和宽度测量
一、白光干涉仪测量原理白光干涉仪利用白光干涉原理，通过测量反射光与参考光之间的光程差来精确获取待测表面的高度信息。其测量精度可达到纳米级别，非常适合用于测量1um以下的光刻深度、凹槽深度和宽度。二、测量步骤与注意事项样品准备：确保待测样品表...
2024
12-27
优化湿法腐蚀后碳化硅衬底TTV管控
一、湿法腐蚀在碳化硅衬底加工中的作用与挑战湿法腐蚀是碳化硅衬底加工中不可或缺的一步，主要用于去除表面损伤层、调整表面形貌、提高表面光洁度等。然而，湿法腐蚀过程中，由于腐蚀液的选择、腐蚀时间的控制、腐蚀均匀性等因素，往往会导致衬底表面TTV的...