2024
12-11
外差式激光干涉技术原理
一、基本原理外差式激光干涉仪通常由两束相干激光器组成，分别称为信号光和参考光。这两束激光光束经过分束器分成两束光线，其中一束经过样品或待测物体，另一束光则作为参考光直接到达探测器。这两束光线接着通过合束器重新合成成一束光线，以产生干涉图样。...
2024
12-10
控制12寸再生晶圆双面抛光平坦度的方法有...
控制12寸再生晶圆双面抛光平坦度的方法主要包括以下几种：一、采用先进的抛光设备和技术双面抛光设备：使用双面抛光设备对晶圆进行加工，这种设备能同时控制工件的两面，有效地避免应力差与粘结误差引起的变形问题。化学机械抛光（CMP）技术：CMP技术...
2024
12-06
基于石英玻璃外延GaN的工艺改进方法有哪...
基于石英玻璃外延GaN的工艺改进方法主要包括以下几个方面：一、晶圆片制备优化多次减薄处理：采用不同材料的浆液和磨盘对石英玻璃进行多次减薄处理，可以制备出预设厚度小于70μm且厚度均匀性TTV为±0.5μm的晶圆片结构。这种方法避免了石英玻璃...
2024
12-06
有什么方法可以去除晶圆键合边缘缺陷?
去除晶圆键合边缘缺陷的方法主要包括以下几种：一、化学气相淀积与平坦化工艺方法概述：提供待键合的晶圆。利用化学气相淀积的方法，在晶圆的键合面淀积一层沉积量大于一定阈值（如1.6TTV）的氧化物薄膜。对氧化物薄膜进行致密化工艺。对经致密化工艺后...
2024
12-05
磨料形貌及分散介质对4H碳化硅晶片研磨质...
磨料形貌及分散介质对4H碳化硅（4H-SiC）晶片研磨质量具有显著影响。以下是对这一影响的详细分析：一、磨料形貌的影响磨料形貌是研磨过程中影响4H-SiC晶片质量的关键因素之一。金刚石磨料因其高硬度和耐磨性，是研磨4H-SiC晶片的常用材料...
2024
12-02
粗糙度的滤波值是怎么设置的？
一、取样长度和评定长度的选择取样长度：是用于判别具有表面粗糙度特性的一段基准线长度。它应足够大，以包含足够的表面细节，从而能够准确反映表面的粗糙度特征。评定长度：是用于评定粗糙度时必须取的一段能反映加工表面粗糙度特性的小长度。它通常包含多个...