2024
12-12
晶圆单面抛光的装置及方法
晶圆单面抛光的装置及方法主要涉及半导体设备技术领域，以下是对其详细的介绍：一、晶圆单面抛光装置晶圆单面抛光装置通常包含以下关键组件：工作台：作为整个抛光装置的基础，用于支撑和固定其他组件。工作台下方通常设置有伺服电机，用于提供抛光过程中的动...
2024
12-10
控制12寸再生晶圆双面抛光平坦度的方法有...
控制12寸再生晶圆双面抛光平坦度的方法主要包括以下几种：一、采用先进的抛光设备和技术双面抛光设备：使用双面抛光设备对晶圆进行加工，这种设备能同时控制工件的两面，有效地避免应力差与粘结误差引起的变形问题。化学机械抛光（CMP）技术：CMP技术...
2024
12-06
基于石英玻璃外延GaN的工艺改进方法有哪...
基于石英玻璃外延GaN的工艺改进方法主要包括以下几个方面：一、晶圆片制备优化多次减薄处理：采用不同材料的浆液和磨盘对石英玻璃进行多次减薄处理，可以制备出预设厚度小于70μm且厚度均匀性TTV为±0.5μm的晶圆片结构。这种方法避免了石英玻璃...
2024
12-06
有什么方法可以去除晶圆键合边缘缺陷?
去除晶圆键合边缘缺陷的方法主要包括以下几种：一、化学气相淀积与平坦化工艺方法概述：提供待键合的晶圆。利用化学气相淀积的方法，在晶圆的键合面淀积一层沉积量大于一定阈值（如1.6TTV）的氧化物薄膜。对氧化物薄膜进行致密化工艺。对经致密化工艺后...
2024
12-05
磨料形貌及分散介质对4H碳化硅晶片研磨质...
磨料形貌及分散介质对4H碳化硅（4H-SiC）晶片研磨质量具有显著影响。以下是对这一影响的详细分析：一、磨料形貌的影响磨料形貌是研磨过程中影响4H-SiC晶片质量的关键因素之一。金刚石磨料因其高硬度和耐磨性，是研磨4H-SiC晶片的常用材料...
2024
11-21
IGBT封装底部与散热器贴合面平整度差，...
当IGBT封装底部与散热器贴合面平整度差时，会产生一系列不良影响：接触面积减小：贴合面平整度差导致芯片与散热器之间的接触面积减小，热量传递的通道变窄，影响散热效率。接触热阻增大：接触面积的减小和间隙的存在会增大接触热阻，阻碍热量从芯片传递到...