TTV（Total Thickness Variation）

定义：TTV是硅片晶圆的“总厚度变化”或“总厚度偏差”，指的是在厚度扫描或一系列点的厚度测量中，所测晶圆的最大厚度与最小厚度的绝对差值。

重要性：在半导体制程中，硅片的厚度必须在整个表面上非常均匀，以确保器件的性能和稳定性。TTV是衡量硅片厚度均匀性的一个重要指标。

典型值：实际应用中，4英寸硅片TTV一般小于2μm，6英寸硅片一般小于3μm。

Bow

定义：Bow是指硅片的弯曲程度，即硅片两端和中心之间的最大距离差。它反映了硅片在水平面上的翘曲度。

测量方法：假设硅片的两端与中心之间的距离差分别为d1、d2，则Bow=Max(d1, d2)。

重要性：Bow参数对于评估硅片的局部弯曲情况非常重要，它直接影响到器件的制造和性能。

Warp

定义：Warp是指硅片表面的最大偏离平面的距离，即硅片上任意点的高度与最佳拟合平面（通常通过最小二乘法计算的参考平面）之间的最大偏差。它反映了硅片在垂直面上的翘曲度。

测量方法：通过扫描整个硅片表面，测量所有点的高度，并计算这些点相对于最佳拟合平面的最大偏差来确定Warp值。

重要性：Warp参数提供了硅片整体平整度的信息，对于评估硅片的整体弯曲和扭曲情况非常重要。

典型值：4英寸硅片的SEMI标准是Warp小于40μm。

TIR（Total Indicated Runout）

定义：TIR是指硅片表面的局部翘曲程度，是描述硅片局部翘曲的一个参数。

测量方法：通常采用测量针来检测硅片表面的高低差，再将测量结果转换为TIR值。

重要性：TIR值越小，表明硅片表面的平整度越高，这对于器件的制造和性能至关重要。

综上所述，TTV、Bow、Warp和TIR等参数共同反映了硅片的平面度和厚度均匀性，对于许多芯片制造过程中的关键步骤都有直接影响。因此，在硅片制造和器件生产过程中，需要严格控制这些参数以确保产品质量和性能。